GaN подложки
Объёмные кристаллы HVPE GaN
- Диаметр - 52 мм (2")
- Толщина - до 5 мм
- Ориентация - (0001)
- Проводимость - n-тип
- Плотность дислокаций - не более 106 см-2
Спектр фотолюминесценции объёмного кристалла GaN производства Тринитри:
Сравнение кристаллического совершенства объемных кристаллов GaN производства Тринитри с доступными на рынке образцами:
Темплейты HVPE GaN на сапфире
- Диаметр - 52 мм (2")
- Толщина слоя GaN - 10...100 мкм
- Толщина подложки сапфира - 430мкм
- Ориентация - (0001)
- Проводимость - n-тип
- Плотность дислокаций - не более 5x107 см-2 (при толщине слоя GaN 50 мкм)
- Неоднородность толщины слоя GaN - не более 5%
- Прогиб подложки - не более 300 мкм (при толщине слоя GaN 50 мкм)
Меза-темплейты HVPE GaN на сапфире
Характерной особенностью HVPE темплейтов GaN на сапфире является значительный (до нескольких сот микрон) прогиб, возникающий из-за различия температурных коэффициентов расширения GaN и сапфира. Меза-темплейты были созданы для уменьшения прогиба при выращивании толстых плёнок GaN на сапфире. Разделение плёнки на отдельные мезы позволяет существенно снизить величину механических напряжений, и уменьшить прогиб в несколько раз по сравнению с обычным темплейтом той же толщины.
- Диаметр 52 мм (2")
- Толщина слоя GaN 10...50 мкм
- Ориентация (0001)
- Проводимость n-тип
- Плотность дислокаций < 5x107 см-2
- Неоднородность толщины слоя GaN < 5%
- Прогиб подложки < 100 мкм (при толщине слоя GaN 50 мкм и размере мезы 400x400 мкм2)