О компании

Компания ЗАО Тринитри создана в 2006 году с целью разработки новой технологической платформы производства полупроводниковых приборов на основе нитрида галлия (GaN) (Патент РФ, pending).

Суть нового подхода состоит в использовании объёмного кристалла GaN с низкой плотностью дислокаций и epi-ready поверхностью для выращивания приборной структуры. После ростового процесса приборная структура отделяется в виде тонкой плёнки от объёмного GaN методом лазерного слайсинга (Патент РФ №2469433,Патент РФ № 2459691). Затем, после epi-ready полировки объёмного кристалла, цикл повторяется.Тонкие плёнки с приборной структурой переносятся на несущую подложку для послеростовой обработки и разрезания на чипы. После 10-15 циклов роста и полировки объёмный кристалл наращивается для восстановления исходной толщины и используется для дальнейших циклов роста приборных структур. Таким образом, мы получаем безподложечный метод создания приборных структур в виде тонких плёнок, что особенно актуально для дорогих объёмных подложек нитрида галлия и карбида кремния.