HVPE реакторы

Реактор для выращивания объемных кристаллов GaN




Реактор 3N1x2 представляет собой вертикальный одноподложечный HVPE реактор, снабженный устройством для вращения подложки, и предназначенный для массового производства кристаллов нитрида галлия диаметром 76 мм (3") и толщиной до 5 мм. Оригинальная конструкция реактора запатентована в США US 7011711 от 14 марта 2006 г.
Кристаллы объемного GaN диаметром 52 мм и толщиной более 5 мм, полученные на реакторе 3N1x2:












Шестиподложечный HVPE-реактор

Реактор 3N6x2H, предназначен для промышленного производства подложек GaN, разработан в 2008 году, и представляет собой 6-ти подложечный реактор с вращением подложек.

Этот реактор является вертикальным, и изготовлен из современных жаропрочных, химически стойких материалов.  Реактор позволяет выращивать в одном процессе шесть пластин GaN диаметром 52 мм и толщиной до 300 мкм. Реактор полностью автоматизирован.




Разработка HVPE-реакторов

Компания Тринитри имеет большой опыт проектирования, изготвления и эксплуатации установок хлорид-гидридной газоазной эпитаксии (HVPE), и предлагает услуги по проектированию и сборке реакторов для выращивания слоёв нитрида галлия толщиной от 1 мкм до 10 мм.